希力微电子请求一种具有温度传感器的半导体器材及其制备办法专利处理器材内部热特性无法及时反应问题

  金融界2025年8月4日音讯，国家知识产权局信息数据显现，希力微电子（深圳）股份有限公司请求一项名为“一种具有温度传感器的半导体器材及其制备办法”的专利，公开号CN120417418A，请求日期为2025年03月。

  专利摘要显现，本发明触及一种具有温度传感器的半导体器材及其制备办法，其技能计划关键是，所描绘的办法包含：在衬底外表上构建超结电荷平衡区，在超结电荷平衡区的顶部构成体区；在体区上生成榜首浅沟槽和第二浅沟槽；在榜首浅沟槽和第二浅沟槽内均顺次淀积氧化介质层和榜首多晶硅；对第二浅沟槽内的榜首多晶硅进行刻蚀，在第二浅沟槽内的榜首多晶硅的上方淀积第二多晶硅；在体区外表淀积介质层，在介质层中刻蚀构成触摸孔；触摸孔与榜首多晶硅和第二多晶硅连通；本请求经过在器材外延资料内部集成温度检测二极管结构，使用二极管正导游通电压与温度的线性关系，在不影响器材自身特性情况下，经过改进制作工艺，处理器材内部热特性无法及时反应问题。

  天眼查资料显现，希力微电子（深圳）股份有限公司，成立于2020年，坐落深圳市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。经过天眼查大数据分析，希力微电子（深圳）股份有限公司共对外出资了1家企业，产业线条，此外企业还具有行政许可8个。

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